成都瑞迪威科技有限公司
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瓦片式相控阵雷达套片

        根据瓦片式相控阵雷达天线系统的需求, 已经成功发了Ku帐偈菊、Ka两个频段的芯片套片, 套片包含硅基多通道波束成形芯片和GaAs前端TR芯片      
        硅基多通道波束成形芯片集成四个收发通道, 每个通道集成放大器帐偈菊、移相器帐偈菊、袞减器帐偈菊、开关, 芯片中同时集成数字控制帐偈菊、SPI通信接口帐偈菊、电源管理帐偈菊、温度补偿等电路     GaAs前端TR芯片集成PA帐偈菊、LNA和收发开关, 具有优良的效率和噪声性能    
         采用先进的一体化异质封装技术对两种芯片进行了一体化BGA封装, 套片组合使用更加方便     两种芯片亦可单独使用    





技术指标
 
Ku频段套片   Ka频段套片  
工作频率 14-18GHZ 工作频率 32~40GHz
通道数量 4 通道数量 4
接收增益 ≥26dB 接收增益 ≥26dB
发射增益 ≥26dB 发射增益 ≥28dB
接收噪声系数 ≤3.5dB 接收噪声系数 ≤4.5dB
发射输出功率 ≥20dBm 发射输出功率 ≥23dBm
发射效率 ≥25% 发射效率 ≥20%
收发切换时间 <50ns 收发切换时间 <50ns
    特点 支持双极化

高通量卫星通信套片

       根据高通量卫星通信相控阵天线系统的需求, 已成功开发了 Ka频段硅基四通道发射波束成形芯片和 K频段硅基四通道接收波束成形芯片    
       发射芯片集成四个发射通道, 每个通道集成放大器帐偈菊、移相器和衰减器, 芯片中同时集成数字控制帐偈菊、 SPI通信接口帐偈菊、电源管理帐偈菊、温度补偿等电路     与发射芯片类似, 接收芯片集成了四个接收通道    
        面对更高输出功率和更低噪声的应用, 同步开发了GaAs工艺的PA和LNA芯片, 可与硅基工艺的发射和接收芯片配套使用, 采用了先进的一体化异质封装技术对两种芯片进行了一体化封装, 套片组合使用更加方便    



技术指标
Ka频段发射芯片   K频段接收芯片  
工作频率 27-32GHz 工作频率 17-22GHz
通道数量 4 通道数量 4
接收增益 ≥10dB 接收增益 ≥10dB
发射输出P-1dB ≥6dBm 噪声系数 <5dB
移相位数 6位 移相位数 6位
移相精度RMS ≤3° 移相精度RMS ≤3°
衰减位数 6位 衰减位数 6位
衰减步进 0.5dB 衰减步进 0.5dB
封装方式 LGA 封装方式 LGA
封装后尺寸 3mm×3.5mm 封装后尺寸 3.8mm×3.1mm

IF-RF频率变换套片

         针对Ka频段已成功开发了硅基功率放大器帐偈菊、低噪声放大器帐偈菊、上下变频器帐偈菊、倍频器帐偈菊、压控振荡器等芯片, 并实现了Ka频段收发机芯片和探距芯片的开发    
         Ka频段收发机芯片中集成了功率放大器, 低噪声放大器帐偈菊、上下变频器帐偈菊、倍频器帐偈菊、中频放大器帐偈菊、收发开关等完整的收发变频功能, 具有集成度高帐偈菊、体枳小帐偈菊、功耗低的优势, 是实现小型化组件的必要技术基础    
        探距芯片集成了压控振荡器帐偈菊、下变频器帐偈菊、功率放大器和低噪声放大器, 可应用于智能驾驶帐偈菊、无人机防撞帐偈菊、引信等系统    





 
技术指标
Ka频段收发机芯片   Ka频段探距芯片  
射频频率 Ka频段 射频频率 Ka频段
射频宽带 2GHz 射频宽带 2GHz
本振频率 X波段 发射输出功率 ≥6dBm
小信号增益 15±1dB 噪声系数 ≤5dB
发射输出功率 ≥6dBm 中频频率 DC~10MHz
噪声系数 ≤5dB    
中频频率 L波段    

芯片产品列表
射频波束成型芯片



射频前端芯片